FIB-SEM-Mikroskopie

3D-Bildgebung mit der Präparation im Nanomaßstab mittels FIB-SEM-Mikroskopie:

Mit unserem Crossbeam 350 von Zeiss verfügen wir über ein hochauflösendes Feldemissions-Rasterelektronenmikroskop (FE-SEM), kombiniert mit den Bearbeitungsfunktionen eines fokussierten Ionenstrahls und einem Femtosekundenlaser. Dadurch lassen sich Querschnitte direkt im Material mit nur geringsten thermischen und mechanischen Einflüssen erzeugen.

Anwendung und Analysemöglichkeiten

Die FIB-SEM-Mikroskopie eignet sich insbesondere zur Untersuchung des Funktionsaufbaus von Hochleistungselektronik, wie z.B. von Chips oder Wafern, um die empfindlichen Schichten bis in die Tiefe zu analysieren. Darüber hinaus können auch Materialzusammensetzungen, Lötstellen, Gefügestrukturen oder Fehlstellen im Material untersucht werden.

Anwendungsmöglichkeiten

Untersuchung von Beschichtungen und Schichtsystemen

Zielpräparation thermisch empfindlicher Schichten ohne Hitzeeintrag (Querschnitt)
Bemaßung von Schichtdicken und Bestimmung der Elementzusammensetzung
Untersuchung von Fehlstellen, wie z.B. Risse oder Einlagerungen von Fremdmaterial

Untersuchung von Gefügestrukturen

Untersuchung von Ablagerungen an den Korngrenzen
Analyse von intermetallischen Phasen
Analyse von Einschlüssen und Verunreinigungen

Untersuchung von elektronischen Baugruppen

Untersuchung von Lötverbindungen
Untersuchung von defekten Keramikkondensatoren
Nachweis von Rissen durch mechanische Überlast, Einschlüsse, Benetzungseffekte, thermische Zerstörung

TECHNISCHE AUSSTATTUNG

Das ZEISS Crossbeam 350 ist ein hochauflösendes Rasterelektronenmikroskop (REM), das zusätzlich einen fokussierten Ionenstrahl (Ga-FIB) und einen integrierten Femtosekundenlaser der nächsten Generation enthält.

In einer separaten Probenkammer wird mit dem Femtosekundenlaser eine tieferliegende Region-of-Interest (ROI) freigelegt. Im Anschluss wird die Probe in die Probenkammer des FIB-SEM eingeschleust, mit dem Gallium-Ionen-Strahl feinpoliert und dann elektronenmikroskopisch untersucht. Auch die Elementanalyse mittels EDX ist möglich.

Technische Details des ZEISS Crossbeam 350:

Spezifische Ortsauflösung (SEM): 0,8 nm bei 30 kV, 0,9 nm bei 15 kV, 1,7 nm bei 1kV
Spezifische Ortsauflösung (FIB): 3 nm bei 30 kV, 120 nm bei 1kV
Detektoren: Inlens Duo für sequenzielles SE/EsB-Imaging, SESI-Ionendetektor, EDX-Detektor
Probenkammer: 330 mm Innendurchmesser, 270 mm Höhe
Maximaler Verfahrweg: x,y =100 mm, z=55 mm

QUALITY ANALYSIS IHR RICHTIGER PARTNER FÜR NANOANALYTIK

Sie benötigen den Einblick in verborgene Schichten? Dann sind Sie bei uns richtig. Wir beraten Sie gerne zu den zahlreichen Möglichkeiten der Nanoanalytik mit der FIB-SEM-Mikroskopie.
Das Ziel: die beste, wirtschaftlichste und effizienteste Analyse für Ihre Aufgabenstellung.
Rufen Sie uns an, wir freuen uns auf Sie!

Telefon: +49 7022 2796-681